2015-11-06_MCXX_BiasT_S21_Testing.doc 2015-11-06 黎煥欣
這是一個比較舊的測試記錄了, 因為一些資料公開的問題, 現在可以拿出來了
Original File: R20140616_MCXX_BiasT_S21_Testing.doc 黎煥欣 2014-06-16
主旨: MCXX 迷你接頭與 BiasT 的 S21 (功率穿透係數) 測試
有關 MCXX 接頭與 BiasT 在高頻下的行為一直沒有真正的細量, 因為起初花了一些時間才決定用那一種接頭 (MCXX) 和 cable (1.13mm UFL 線), 而這 cable 與 MCXX 接頭並沒有設計就是在一起的接頭. 所以我們只能用原來是接 RG316 線的 MCXX 頭, 將它修改成與 UFL 線接在一起. 另外 Bobo 的 BiasT 內部有一些接線與零件. 對高頻信號穿越它的衰減量之前也未有正式的量測 (因為 MCXX 接不起來), 這次客服了 MCXX 接頭的問題, 我們總算得到了初步的結果.
我們先做了兩個 SMA <-> MCXX 90deg 頭, 之後再做了一個兩個 MCXX 180deg PCB 銲座對接, 並以此來做基準, 用 ADV 3361C TG 做頻率響應測試, 外觀如圖:
再接頻譜分析儀的 TG out 與 SA input:
得到的結果如下圖:
在 900MHz 頻段, bypass 的參考值是 -9.70dBm, 這裡量到 -10.57dBm, 衰減約 -0.87dB, 考慮到經過那麼多接點. 這算是不錯的結果.
在 BiasT 用的 MCXX PCB 銲件頭有一個是 90deg 的, 我們也做了 90deg 頭的對接頭測試:
結果如下圖:
比 180deg 的多了 0.1dB, 差不多一樣. 它們在大於 1.6GHz 才有一些衰減的起伏. 在我們使用的 700~1000MHz 頻段表現都不錯.
最後是 BiasT 的測試了, 用以上相同的條件, 把 BiasT 當做 DUT,
結果如圖:
在 900MHz 頻段, 量到 -12.2dBm, 衰減量約 -2.5dB, 雖然較直接接差了約 1.5dB, 但目前已夠使用. 上圖在 1.2GHz 與大於1.7GHz 有 Notch 與衰減量變大的情況, 推測與腔體共振與內部接線有關, 但不在我們的工作頻率. 暫時先不用管這個現像. 目前這個 BiasT 已經可以先試驗了. 這次測試只是先期測試, 將來架在平移台上後, 整體拿到實驗室後, 會再精密的量測一次
黎煥欣 2014-06-16